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单晶材料及衬底基片

根据用户需求定制

高温超导薄膜基片
晶体 晶向 生长方法及最大尺寸 标准外延抛光基片(单、双抛)
铝酸镧LaAlO3 <100>,<110> <111> 提拉法Φ3" Φ3"×0.5mm Φ2"×0.5mm 10×10×0.5mm
LSAT <100>,<110> <111> 提拉法Φ2" Φ2"×0.5mm 10×10×0.5mm
钛酸锶SrTiO3 <100>,<110> <111> 焰熔法Φ35mm 10×10×0.5mm 10×5×0.5mm
氧化镁MgO <100>,<110> <111> 弧熔法50*50*30mm Φ2"×0.5mm 10×10×0.5mm
氧化锆YSZ <100>,<110> <111> 助溶剂法Φ2" Φ2"×0.5mm 10×10×0.5mm
钽酸钾KTaO3 <100>,<110> <111> 提拉法20x20mm 20x20×0.5mm 10×10×0.5mm10x5x0.5mm
铝酸锶镧SrLaAlO4 <001> 提拉法Φ20mm 10×10×0.5mm 10x5x0.5mm
铝酸钇YAlO3 <100>,<010> <001> 提拉法Φ30mm 10x10x0.5mm Dia30x0.5mm
铝酸镁MgAl2O4 <100>,<110> <111> 提拉法Φ3" Φ2"×0.5 10×10×0.5
磁性与铁电薄膜基片
晶体 晶向 生长方法及最大尺寸 标准外延抛光基片(单、双抛)
铝酸镧 LaAlO3 <100>,<110> <111> 提拉法 φ3" φ3"*0.5 φ2"*0.5 10*10*0.5
LSAT(LaAlO3)0.3 (Sr2AlTaO8)0.7 <100>,<110> <111> 提拉法 φ2" φ2"*0.5 10*10*0.5
钛酸锶SrTiO3 <100>,<110> <111> 熔炼法 φ30mm 10*10*0.5 10*5*0.5
掺杂钛酸锶Nb:SrTiO3 Fe:SrTiO3 Nd:SrTiO3 <100>,<110> <111> 熔炼法 φ30mm 10*10*0.5 10*5*0.5
白宝石Al2O3 <0001>,<11-20> <10-10>,<1-102> 泡生法 提拉法 φ180mm φ50.8*0.5 φ100*0.65 10*10*0.5
铝酸镁MgAl2O4 <100>,<110> <111> 提拉法 直径2" φ2"*0.5 10*10*0.5
钆镓石榴石GGG <100>,<110> <111> 提拉法 直径2" φ2"*0.5 10*10*0.5
TiO2 <100>,<001> <110>,<111> 浮区法 φ23-25mm 10*10*0.5 10*5*0.5
铽镓石榴石TGG <100><110><111> 提拉法 φ30mm 直径30*0.5 10*10*0.5 5*5*10mm
GaN 外延薄膜基片
晶体 晶向 生长方法及最大尺寸 标准外延抛光基片(单、双抛)
白宝石Al2O3 <0001>,<11-20> <10-10>,<1-102> 泡生法,提拉法 φ180mm φ50.8*0.5 φ100*0.65 10*10*0.5
硅Si <100>,<110> <111> 弧熔法 50*50 φ2"*0.5 10*10*0.5
砷化镓GaAs <100> VGF/VB φ4" φ4"*0.625 φ2"*0.35
铝酸锂LiAlO2 <100>,<001> <110>,<111> 提拉法 φ2" φ2"*0.5 10*10*0.5
铝酸锂LiAlO2 <100>,<001> <110>,<111> 提拉法 φ2" φ2"*0.5 10*10*0.5
铝酸镁MgAl2O4 <100>,<110> <111> 提拉法 φ2" φ2"*0.5 10*10*0.5
碳化硅SiC <0001>,<11-20> <10-10>,<1-102> PVT φ4" φ2"*0.33 10*10*0.33
氧化锌ZnO <0001>,<11-20> <10-10> 水热发 25mm 10*10*0.5 20*20*0.5
氮化镓GaN <0001> a=0.3189 c=0.5186 HVPE φ2" φ2"*0.3 10*10*0.3
半导体基片
晶体 晶向 生长方法及最大尺寸 标准外延抛光基片(单、双抛)
硅Si <100><110><111> CZ φ6" φ2"*0.5 φ3"*0.5 φ4"*0.5
锗Ge <100><110><111> CZ φ4"
GaAS <100> VGF/VB φ4" φ4"*0.625 φ2"*0.35
InP <100> HB/HGF(水固法) φ3" φ2"*0.35 φ3"*0.35
InAs <100> HB/HGF(水平梯度凝固法)/HEC φ3" φ2"*0.5 φ3"*0.5
GaSb <100> HB/HGF(水平梯度凝固法)/HEC φ3" φ2"*0.5 φ3"*0.5
半导体基片
晶体 晶向 生长方法及最大尺寸 应用
硒化锌ZnSe CVD,CVT,PVT φ50mm CO2 激光器的红外光学,透镜,窗口,分束器,外延基片,蒸发源的晶体片
氧化锌ZnO 水热法 25*25*10mm GaN(蓝光 LED)外延基片,宽波段连接器件
光学/光电晶体
晶体 晶向 生长方法及最大尺寸
铌酸锂LiNbO3 =<110> =<100> =<001> 直径3"
钽酸锂LiTaO3 =<110> =<100> =<001> 直径3"
水晶SiO2 =<110> =<100> =<001> 直径4"
氧化碲TeO2 "<100>,<110><001> 直径2"
二氧化钛TiO2 直径2"
红外窗口材料
晶体 折射率 最大尺寸
CaF2 1.434 φ8"
MgF2 "no=1.3774 ne=1.3895 φ4"
BaF2 1.434 φ4"
LiF 1.37327@2.5um φ4"
Ge 1.624@0.121um φ8"
Si _ φ8"
石英SiO2 1.544 φ8"
"硒化锌 2.5 φ4"
激光晶体
晶体 热膨胀系数 生长方法及最大尺寸 标准外延抛光基片(单、双抛)
"钛宝石 7.5 CZ
"红宝石 7.5 CZ φ1"*50mm
"掺杂钕铝酸钇 7.8 CZ φ2"*50
"掺杂钕钒酸钇 4.43 CZ φ30*10mm
Nd:YLF 13//a,8//c CZ φ1"*50mm
Yb:YAP 7.8 CZ φ2"*50mm
Cr:YAG 7.8 CZ φ2"*50mm
卤化物晶体
晶体 晶向 常规尺寸
NaCl <100>,<110>,<111> 10*10*2.0mm 20*20*2.0mm 可以按客户要求加工
KCI <100>,<110>,<111> 10*10*2.0mm 20*20*2.0mm 可以按客户要求加工
KBr <100>,<110>,<111> 10*10*2.0mm 20*20*2.0mm 可以按客户要求加工

销售经理
陈青涛
销售-杨艳 销售-屈玲玲 销售-孙垚

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